主 页 冷弧等离子射流源 射频CCP 射频ICP 微波ECR等离子体 微波表面波等离子炬 环缝微波等离子试验装置 微波表面波等离子镀膜 等离子体配套设备 文档下载 联系方式   射频CCP（容性耦合等离子体）发生装置的工作原理是：由射频源产生的射频功率（13.5 6MHz）经射频电缆传输，至电容耦合到两平面平行电极之间；在两电极之间的射频电场加热电 子，电离充入两电极之间的工作气体产生高密度等离子体。等离子体辐照置于电极表面的基片 ，用于在基片表面沉积薄膜、刻蚀和清洗；如电极之一的是孔或网状，或两电极都为孔或网状 ，等离子体也可透过电极用于产生原子束流等。 型号 射频源功率 沉积室尺寸 基片台 抽充气系统 电控柜 直径 加热温度 CCPECVD -1500 1500W ф450×300 200 450℃ 1300L/s分子 泵两路流量计 1800 标准机柜 CCPECVD -800 800W ф350×300 150 450℃ 600L/s分子 泵两路流量计 1800 标准机柜 CCPECVD -300 300W ф200×300 50 450℃ 110L/s分子 泵两路流量计 1600 标准机柜 型号 射频源功率 刻蚀室尺寸 基片台 抽充气系统 电控柜 直径 冷却 CCP RIE -1500 1500W ф450×300 200 水冷 1300L/s分子 泵两路流量计 1800 标准机柜 CCP RIE -800 800W ф350×300 150 水冷 600L/s分子 泵两路流量计 1800 标准机柜 CCP RIE -300 300W ф200×300 50 水冷 110L/s分子 泵两路流量计 1600 标准机柜 型 号 射频源功率 多孔栅尺寸 氦气流量L/m CCP Jet－1000 1000W ф70 或矩形相 应面积 ～100 CCP Jet－500 500W ф50 ～50 CCP Jet－300 300W ф30 ～30     常压射频CCP射流源   常压射频CCP射流源 放电图